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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

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壓敏電阻器在電路的過電壓防護(hù)中，如果正常工作在預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)，理論上是不會(huì)損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態(tài)過電壓、超能量過電壓隨機(jī)的不斷沖擊及吸收電路儲(chǔ)能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會(huì)損壞的它的壽命根據(jù)所在電路經(jīng)受的過電壓幅值和能量的不同而不同。

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